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基礎信息Product information

產品名稱：TH512國產半導體參數分析儀

產品型號：

更新時間：2025-11-05

產品簡介：

TH512國產半導體參數分析儀應用
半導體元件/功率元件： 二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析
半導體材料：晶圓切割、C-V特性分析
液晶材料：彈性常數分析
電容元件：電容器C-V特性測試及分析，電容式傳感器測試分析

產品特性Product characteristics

“精"——上海市先JIN企業!

“專"——專注工業測試十六年!

“特"——德國萊茵TUV認證供應商!

“新"——注冊資本實繳壹仟萬元!實繳資金行業中居前茅!抗金融風險能力強!

TH512國產半導體參數分析儀應用

半導體元件/功率元件： 二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析

半導體材料：晶圓切割、C-V特性分析

液晶材料：彈性常數分析

電容元件：電容器C-V特性測試及分析，電容式傳感器測試分析

性能特點

 柵極電壓VGS：0 - ±40V

 漏極電壓VDS：0 - ±3000V

 四寄生參數(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一鍵測量及顯示

 一體化設計：LCR+VGS低壓源+VDS高壓源+通道切換+上位機軟件

 單管器件（點測）、模組器件（列表掃描）、曲線掃描(選件)三種測試方式

 標配2通道，可擴展至6通道，可測單管、多芯或模組器件（TH513僅1通道）

 CV曲線掃描、Ciss-Rg曲線掃描

 電容快速充電技術，實現快速測試

 接觸檢查Cont

 通斷測試OP_SH

 自動延時設置

 Crss Plus功能：解決高頻下Crss負值問題

 高壓擊穿保護：DS瞬間短路，保護儀器

 Interlock安全鎖功能：增加高壓防護墻（僅TH513）

 Cs-V功能：二極管結電容CV特性測試分析

 等效模式轉換功能，可選Cs或Cp模式

 10檔分選

簡介

TH510系列半導體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據當前半導體功率器件發展趨勢，針對半導體材料及功率器件設計的分析儀器。

儀器采用了一體化集成設計，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測試，無需頻繁切換接線及設置參數，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測試，適用于生產線快速測試、自動化集成。

CV曲線掃描分析能力亦能滿足實驗室對半導體材料及功率器件的研發及分析（此功能為選件）。

儀器設計頻率為1kHz-2MHz，Vgs電壓可達±40V，VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數功率器件測試。

功能特點

A.一體化測試，集成度高、體積小、效率高

    一臺儀器內置了LCR數字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟件，將復雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統內，操作更簡單。特別適合產線快速化、自動化測試。

B.單管器件測試，10.1寸大屏，四種寄生參數同屏顯示，讓細節一覽無遺

    MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試，10.1寸大屏可同時將測量結果、等效電路圖、分選結果等重要參數同時顯示，一目了然。

    一鍵測試單管器件器件時，無需頻繁切換測試腳位、測量參數、測量結果，大大提高了測試效率。

C.列表測試，多個、多芯、模組器件測量參數同屏顯示

    TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試，所有測量參數通過列表掃描模式同時顯示測試結果及判斷結果。

D.曲線掃描功能（選件）

    在MOSFET的參數中，CV特性曲線也是一個非常重要的指標，如下圖

    TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以以對數、線性兩種方式實現曲線掃描，可同時顯示多條曲線：同一參數、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數多條曲線。

    TH510系列同時支持多種曲線掃描模型

    曲線支持散點標記及粗細調節

    Ciss-Rg曲線掃描

E.Cs-V功能,二極管結電容CV特性測試分析

     得益于TH510系列功率器件CV特性分析儀內置了2路直流電源，使二極管的CV特性分析成為可能，Cs-V功能可用于測試各種二極管的結電容，并可分析二極管的CV特性。

F.等效模式轉換

    TH510系列功率器件CV特性分析儀測試結果的電容C均為串聯模式Cs，對于部分需求測試并聯模式Cp需求的客戶，可自行切換

G. 多種獨特技術，解決自動化配套測試痛點

        在配套自動化設備或者產線時，經常會遇到下列問題，同惠針對多種情況進行了優化。

        1）獨特技術解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線/自動化系統高速測試精度

同惠電子在電容測試行業近30年的經驗積累，得以在產線、自動化測試等高速高精度測試場合，都能保證電容、電阻等測試精度。

常規產線測試，提供標準0米測試夾具，直插器件可直接插入進行測試，Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度高。                   image.png        

針對自動化測試，由于自動化設備測試工裝通常需要較長連接線，大多自動化設備生產商在延長測試線時會帶來很大的精度偏差，為此，同惠設計了獨特的2米延長線并內置了2米校準，保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度和0米測試夾具一致。

        2）接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動化測試隱患

在高速測試特別是自動化測試中，經常會由于快速插拔或閉合，造成測試治具或工裝表面磨損、引線斷裂而接觸不良，接觸不良的造成的最直接后果是誤判測試結果而難以發現，在廢品率突然增加或發出產品故障原因退回時才會發現，因此是一個極大的隱患。

同惠TH510系列半導體C-V特性分析儀采用了獨特的硬件測試方法，采用了四端測量法，每個腳位均有兩根線連接，若任意一根線斷裂或者接觸點接觸不良，均可及時發現并提供接觸不良點提示，儀器自動停止測試，等待進一步處理。

保障了結果的準確性，同時利于客戶及時發現問題，避免了不良品率提高及故障品退回等帶來的損失。

        3）快速通斷測試（OP_SH）,排除損壞器件

在半導體器件特性測試時，由于半器件本身是損壞件，特別是多芯器件其中一個芯已經損壞的情況下，測試雜散電容仍有可能被判斷為合格，而半導體器件的導通特性才是最重要的特性。

因此，對于本身導通特性不良的產品進行C-V特性測試是沒有必要的，不僅僅浪費了測量時間，同時會由于C-V合格而混雜在良品里，導致成品出貨后被退回帶來損失。

TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試（OP_SH）功能,可用于直接判斷器件本身導通性能。

        4）Crss+Plus功能，解決自動化測試系統高頻下Crss負值問題      

Crss電容通常在pF級，容量較小，測試是個難題。

而在自動化測試系統中，由于過多的轉接開關、過長測測試引線等帶來的寄生參數。

因此，測試Crss，特別是在高頻測試時通常會出現負值，

同惠電子憑借在電容器測試行業30年的技術及經驗積累，采用獨特的算法的Crss Plus模式，可保證即使是在自動化測試系統中、高頻下也能測的正確的結果。

        5）漏源高壓擊穿保護技術，防止損壞測試儀器

在測試功率器件電容時，漏極D通常會加上高壓，特別是第三代功率半導體器件，電壓甚至可高達1000V-3000V，當漏源瞬間擊穿時，常會導致電容器瞬間短路放電，在漏源電壓1500V時，放電電流可高達780A，如此大的瞬間電流，會反沖至儀器內部電路，并導致損壞。

同惠高壓擊穿保護技術，解決了此隱患，避免經常由于高壓沖擊損壞儀器，降低了維修成本的同時提高了自動化測試的效率。

        6）Interlock互鎖功能，確保高壓下操作環境安全（僅TH513）

在測試功率器件需施加高壓，因此對于操作者及其他設備的安全隔離非常重要，特別是在自動化產線，通常會將高壓設備放置在一個隔離的環境，并通過安全門開啟關閉來保證操作者的安全。

TH510系列功率器件CV特性分析儀配置了Interlock接口，可與安全門開關連接，在安全門開啟時切斷高壓輸出并禁止儀器啟動，只有關閉后才能正常工作。確保了操作者和設備的安全。

        7）模組式器件設置，支持定制

針對模組式器件如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT，有些器件會有不同類型芯片混合式封裝，TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優化，常見模組式芯片Demo已內置，特殊芯片支持定制。

        8）10檔分選及可編程HANDLER接口

儀器提供了10檔分選，為客戶產品質量分級提供了可能，分選結果直接輸出至HANDLER接口

在與自動化設備連接時，怎么配置HANDLER接口輸出，一直是自動化客戶的難題，TH510系列LCR將HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對應信號、應答方式等可視化，讓自動化連接更簡單。

H.  簡單快捷設置

單測設置界面

列表掃描設置界面

參數可以任意選擇，可打開及關閉，關閉參數可有效節約時間和數據傳輸；延時時間可自動設置或自行設置；柵極電阻可選漏源短路或漏源開路。

CV掃描設置界面

采用圖形化設置界面，功能參數對應原理圖設置一目了然。

I. 支持定制化，智能固件升級方式

同惠儀器對于客戶而言是開放的，儀器所有接口、指令集均為開放設計，客戶可自行編程集成或進行功能定制，定制功能若無硬件更改，可直接通過固件升級方式更新。

儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等，都可以通過升級固件(Firmware)來進行更新，而無需返廠進行。

固件升級非常智能，可以通過系統設置界面或者文件管理界面進行，智能搜索儀器內存、外接優盤甚至是局域網內升級包，并自動進行升級。

J.   半導體元件寄生電容知識

在高頻電路中，半導體器件的寄生電容往往會影響半導體的動態特性，所以在設計半導體元件時需要考慮下列因素：

在高頻電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來的影響；

MOS管的寄生電容會影響管子的動作時間、驅動能力和開關損耗等多方面特性；

寄生電容的電壓依賴性在電路設計中也是至關重要，以MOSFET為例

漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容，Ciss = Cgs   +Cgd

影響延遲時間；Ciss越大，延遲時間越長

Coss

輸出電容

柵源短接，用交流信號測得的漏極和源極之間的電容，Coss = Cds   +Cgd

Crss越大，漏極電流上升特性越差，這不利于MOSFET的損耗。高速驅動需要低電容。

Crss

反向傳輸電容

源極接地，用交流型號測得的漏極和柵極之間的電容，也稱米勒電容

反向傳輸電容等同于柵漏電容。Crss = Cgd

影響關斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大，關斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。

Rg

柵極輸入電阻

Rg被定義漏源短接，偶爾也被定義為漏極開路

K.   標配附件

CV測試夾具TH513-1

USB轉RC232通訊線纜TH26071C

TH512國產半導體參數分析儀規格參數指標